3D транзистори ще подобрят електронните уреди

Normal_intel_ivy_bridge


Корпорацията Intel въвъжда в масово производство 22-нанометрови 3D транзистори в чип с кодово название Ivy Bridge, обявиха на 5 май от корпорацията. Тази новост ще повлияе на производството и качествата на хиляди устройства, които използваме в ежедневието.

Триизмерните Tri-Gate транзисторите представляват фундаментален изход от двуизмерните, които са с равнинна структура. Двуизмерните транзистори се използват на всички компютри, мобилни телефони и потребителска електроника, в автомобилите, космическите кораби, домакинските уреди, медицинските устройства и буквално хиляди други устройства от ежедневието в продължение на десетилетия.

Триизмерните транзистори са изобретени през 2002 година но досега не са произвеждани масово.

Учените отдавна са признали ползите от 3D структура за поддържане на темпа на Закона на Муур, тъй като измеренията на устройствата станаха толкова малки, че законите на физиката се превърнаха в бариери пред напредъка.

Законът на Муур е прогноза за темповете на развитие на силициевите технологии, с които на всеки 2 години гъстотата на транзисторите ще се удвоява, докато увеличава функционалността и производителността и намалява разходите. Той се превърна в основен бизнес модел за полупроводниковата индустрия в продължение на повече от 40 години.

3D Tri-Gate транзистори позволяват на чиповете да работят при по-нисък волтаж. Това позволява на дизайнерите на чипове гъвкавостта да избират транзистори за ниска мощност или за висока производителност, в зависимост от приложението.

Оригиналният транзистор, изграден от Bell Labs през 1947 г., е бил достатъчно голям, за да се сглоби на ръка. За разлика от него над 6 милиона 22 нанометрови tri-gate транзистора могат да се поберат в точката в края на това изречение.

Един нанометър е една милиардна част от метъра.


Създадена на 09.05.2011 г.

Коментари

Все още няма коментари